2014年8月16日 星期六

龍門銑床常用巨集程式


輔助求中心自動程式---輔助大型工件X軸向(Y軸向)求中心程式 在工件某軸向兩側邊尋邊時 以程式自動計算並執行走到該軸向中心 且自動輸入至G54 並將WORKX(Y)歸為零
N1  (注意:按下 / SKIP BLOCK 時會改變成以Y軸向求Y軸向中心)
/#5221 = #5021   (工件單側邊尋邊完成時 轉鈕至MEM按下START 會以單側邊計算歸零)
(工件單側邊尋邊完成時 轉鈕至MEM按下START 會以單側邊計算歸零)
/#1 = #5021
/G54
/M0  (暫停,等待測量另一側邊X座標)
/#5221 = [#5021+#1]/2 (計算X軸向中心)(尋邊測量另一側完成時 再次轉鈕至MEM按下START 會自動計算X軸向中心)
/G54 X0  (執行走到X軸向中心 並自動輸入至G54  XWORKX值歸零)
/M30
N2  (按下 / SKIP BLOCK 時會改變成以此行開始  Y軸向工件中心)
#5222 = #5022 (工件單側邊尋邊完成時 轉鈕至MEM按下START 會以單側邊計算歸零)
#1 = #5022
G54
M0 (暫停,等待測量另一側邊Y座標)
#5222 = [#5022+#1]/2  (計算Y軸向中心) (尋邊測量另一側完成時 再次轉鈕至MEM按下START 會自動計算Y軸向中心)
G54 Y0  (執行走到Y軸向中心 並自動輸入至G54  YWORKY值歸零)
M30
%

龍門銑床立軸頭(Z)及側軸頭(A)之間---軸偏差值程式
N2
G90 G54 X0 Y0
/X -359.75 (立側軸之間的X軸偏差值)
M30
%


附註記:
巨集程式中之系統變量
#5221 = G541軸工件零點偏移植
#5222 = G542軸工件零點偏移植









G73啄鑽巨集程式
O73
#30 = #26 - #27  (讀取單次的鑽孔深度值)
#31 = #30
G90 G0 Z#26+2  (G0快速移至R)
M98 H1 L#25/#27  (呼叫出 N1 並執行L#25/#27)
G0 Z#24  (G0快速移至安全高度)
M99  (結束副程式)
N1 G1 Z#31 F#28  (開始此次的鑽孔)
G4 X0.3   (暫停0.3)
G0 Z#31+0.2  (此次鑽孔的提刀)
#31 = #31 - #27  (再次讀取下次的鑽孔深度值)
M99  (結束單次副程式並返回M98)
%

G83啄鑽巨集程式
O83
#30 = #26 - #27  (讀取單次的鑽孔深度值)
#31 = #30
#32 = #26 + 2  (定義R點值)
M98 H1 L#25/#27  (呼叫出 N1 並執行L#25/#27)
G0 Z#24  (G0快速移至安全高度)
M99  (結束副程式)
N1 G90 Z#32  (提刀至R)
G1 Z#31 F#28  (開始此次的鑽孔)
G4 X1  (暫停1)
#32 = Z #31 + 1  (讀取下一個新R點值)
#31 = #31 - #27  (再次讀取下次的鑽孔深度值)
M99  (結束單次副程式並返回M98)
%

附註記:
巨集程式中之指定局量共變數
#23 = 73
#24 = 100 (安全高度值)
#25 = 4 (鑽孔總深度值)
#26 = 0 (工件鑽孔平面Z)
#27 = 2 (Q)
#28 = 50 (F)
#29 = 6  

2014年8月4日 星期一

新型法碼重力式斜楔面壓合夾持循環機構 New Type TDO Gravity tenter system



TDO Gravity tenter component (重力式斜楔面壓合夾持循環機構)

 1.重力(法碼)固定重量方式將以轉向下TDO橫向張力維持一定張力幅且不需要任何感應裝置,所以建置成本最低。

  2.ITO膜於烘烤階段時,溫度會因各區段溫升而有不同現象,重力(法碼)能可靠有效 給予固定張力,機電裝置受溫度影響而產生故障失效的機率高。

特點:

 1.ITO膜以凸輪軸承槽軌產生機構循環,夾持方式是首先以內側斜楔面材質陶瓷靜電吸盤(ALN Ceramic ESC Electro static Chuck)如圖 1說明,以導引槽導引趨近內側斜楔面後再給予ITO膜穩定的靜電貼面捉吸附住, 直循環至機構的重力法碼處時靜電產生器才停止給與消失靜電。

 2.在本機構設計中是以外側槽軌斜楔面夾持段外端掛上重力法碼1.5KG 彈簧反作用力,以產生 TDO 向下橫向張力及斜楔面壓合夾持力,如圖 2 & 3 說明。
   

新型式機構說明
法碼重力式斜楔面壓合夾持循環機構 


圖 1 靜電吸盤 Electro static Chuck ESC

靜電吸盤 ESC 吸附原理
   加在下電極的直流電壓,使得在其上的介電層 (dielectric layer) 產生靜電力而吸附晶片/ITO Glass等,而電壓持續作用的結果,使得下電極的電荷會通過介電層而聚集在介電層的表面,聚集和極化的速度和此覆蓋層上的電阻有關,一般而言,介電層愈厚,對於晶片的吸附力會較小,且熱移除的效率也會較差,靜電吸盤依其電極形狀構造可分為平行板電容,積體型電極,共平面電極三種形式
基本分為兩類 :
1、庫侖類 (純電介質如Epoxy有機材料或鋁陽極氧化層做成的吸盤為庫侖類)
2、Johnsen-Rahbek類 (參雜電介質如ALN/SiC等陶瓷材料做成的吸盤)



重力法碼1.5KG彈簧反作用力




重力式楔斜面壓合夾持循環機構 圖示 2


ITO Film  W 640 mm



重力式楔斜面壓合夾持循環機構 圖示 3